Verfahren zur Trennung einer Abnehmbaren Verbundstruktur mittels eines Lichtstroms

EP3776633 Art A1 17. Februar 2021

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3776633
Aktenzeichen: EP19718440
Anmeldetag: 22. März 2019
Veröffentlichung: 17. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/268H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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