Poröse und Nanoporöse Halbleitermaterialien und Ihre Herstellung

EP3776634 Art A1 17. Februar 2021

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3776634
Aktenzeichen: EP19781465
Anmeldetag: 5. April 2019
Veröffentlichung: 17. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306H01L21/308H01L29/16B01D67/00B01D69/02B01D71/02C25F3/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von