Verfahren zur Detektion der Fraktur eines durch Implantation von Atomaren Spezies Geschwächten Substrats

EP3776639 Art A1 17. Februar 2021

Anmelder: SOITEC, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3776639
Aktenzeichen: EP19718441
Anmeldetag: 22. März 2019
Veröffentlichung: 17. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/66H01L21/67H01L21/762G01N29/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: SOITEC
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

799 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.940 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von