Verfahren zur Herstellung eines Donorsubstrats zur Herstellung einer Dreidimensionalen Integrierten Struktur und Verfahren zur Herstellung einer Solchen Integrierten Struktur

EP3776642 Art B1 11. Mai 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3776642
Aktenzeichen: EP19718788
Anmeldetag: 22. März 2019
Veröffentlichung: 11. Mai 2022
Erteilung: 11. Mai 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/822H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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