Hybridstruktur für Oberflächenschallwellenvorrichtung und Zugehöriges Herstellungsverfahren

EP3776677 Art B1 16. Februar 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3776677
Aktenzeichen: EP19715974
Anmeldetag: 13. März 2019
Veröffentlichung: 16. Februar 2022
Erteilung: 16. Februar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/43H01L41/08H01L41/319H03H3/007H03H9/72

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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