Siliciumcarbidsubstrat, Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkarbidsubstrats und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3780114
Art A1
17. Februar 2021
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3780114
- Aktenzeichen
- EP20199216
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/16C30B29/36C03B23/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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