Halbleiterbauelement und Verfahren

EP3783663 Art A1 24. Februar 2021

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3783663
Aktenzeichen
EP19192898
Anmeldetag
21. August 2019
Veröffentlichung
24. Februar 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/417H01L23/538// H01L21/8258H01L25/065H01L27/06H01L29/20H01L29/32H01L29/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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