Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Photodetektionselements vom Rückseiteneinfalltyp

EP3783675 Art A1 24. Februar 2021

Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3783675
Aktenzeichen: EP19788840
Anmeldetag: 11. April 2019
Veröffentlichung: 24. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H10F39/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hamamatsu Photonics K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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