Harzzusammensetzung, Laminat, Halbleiterwafer mit einer Harzzusammensetzung Schicht, Substrat zur Befestigung einer Halbleiterschicht mit einer Harzzusammensetzung und Halbleiterbauelement

EP3786233 Art B1 23. April 2025

Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3786233
Aktenzeichen
EP19793863
Anmeldetag
24. April 2019
Veröffentlichung
23. April 2025
Erteilung
23. April 2025
Rechtsraum
EP
IPC
C08L101/00C08F222/40C09J4/00C09J11/04C09J11/06C09J133/00H01L21/60H05K1/18C08K5/29H01L21/56H01L23/00B23K35/36H01L23/29C09J4/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

1.434 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen