Harzzusammensetzung, Laminat, Halbleiterwafer mit einer Harzzusammensetzung Schicht, Substrat zur Befestigung einer Halbleiterschicht mit einer Harzzusammensetzung und Halbleiterbauelement
EP3786233
Art B1
23. April 2025
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3786233
- Aktenzeichen
- EP19793863
- Anmeldetag
- 24. April 2019
- Veröffentlichung
- 23. April 2025
- Erteilung
- 23. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C08L101/00C08F222/40C09J4/00C09J11/04C09J11/06C09J133/00H01L21/60H05K1/18C08K5/29H01L21/56H01L23/00B23K35/36H01L23/29C09J4/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München