Passivierungsverfahren für ein Durchgangsloch einer Halbleiterscheibe

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3787043

Aktenzeichen

EP20000293

Anmeldetag

17. August 2020

Veröffentlichung

4. März 2026

Erteilung

4. März 2026

Rechtsraum

EP

IPC

H10F10/142H10F77/20H10F77/30

Abstract

Passivierungsverfahren für ein Durchgangsloch einer Halbleiterscheibe mindestens umfassend die Schritte: Bereitstellen einer Halbleiterscheibe mit einer Oberseite, einer Unterseite und umfassend mehrere Solarzellenstapel, wobei jeder Solarzellenstapel ein die Unterseite der Halbleiterscheibe ausbildendes Ge-Substrat, eine Ge-Teilzelle, mindestens zwei III-V-Teilzellen in der genannten Reihenfolge und mindestens eine von der Oberseite zu der Unterseite der Halbleiterscheibe reichende Durchgangsöffnung mit zusammenhängender Seitenwand und einem im Querschnitt ovalen Umfang aufweist und Aufbringen einer dielektrischen Isolationsschicht mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf die Oberseite der Halbleiterscheibe, die Unterseite der Halbleiterscheibe und die Seitenwand der Durchgangsöffnung.

Anmelder

Firma

AZUR SPACE Solar Power GmbH

Land

🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete