Bei Niedriger Temperatur Verarbeiteter Halbleiterdünnschichttransistor

EP3790057 Art A1 10. März 2021

Anmelder: SABIC Global Technologies B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3790057
Aktenzeichen: EP19195950
Anmeldetag: 6. September 2019
Veröffentlichung: 10. März 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SABIC Global Technologies B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 SABIC Global Technologies

Niederländische Tochtergesellschaft des saudi-arabischen Chemiekonzerns SABIC, bündelt Forschung und geistiges Eigentum für petrochemische Produkte und Kunststoffe.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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