Siliziumkarbid-Bauelement mit einer Implantationsschwanz-Kompensationsregion

EP3806161 Art B1 4. März 2026

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3806161
Aktenzeichen: EP20200282
Anmeldetag: 6. Oktober 2020
Veröffentlichung: 4. März 2026
Erteilung: 4. März 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/01H10D30/66H10D62/10H10D62/13H10D62/17H10D62/832

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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