Verfahren zur Herstellung eines Integrierten Schaltkreises, der eine Phase zur Einschnittbildung in einem Substrat Umfasst, und Entsprechender Integrierter Schaltkreis

EP3809455 Art A1 21. April 2021

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3809455
Aktenzeichen: EP20200176
Anmeldetag: 6. Oktober 2020
Veröffentlichung: 21. April 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L27/105H01L27/11541

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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