Substrat für eine Integrierte Hochfrequenzvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon

EP3818561 Art B1 4. Juni 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3818561
Aktenzeichen: EP18762567
Anmeldetag: 5. Juli 2018
Veröffentlichung: 4. Juni 2025
Erteilung: 4. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von