Bipolartransistor mit Isoliertem Gate, Igbt, mit Gewinkelten Gate oder Emitter Gräben

EP3823037 Art A1 19. Mai 2021

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3823037
Aktenzeichen: EP20208201
Anmeldetag: 17. November 2020
Veröffentlichung: 19. Mai 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L29/423H01L29/06H01L29/10H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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