Verfahren zum Schreiben in einen Flüchtigen Speicher, und Entsprechender Integrierter Schaltkreis
EP3826015
Art B1
29. März 2023
Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3826015
- Aktenzeichen
- EP20206354
- Anmeldetag
- 9. November 2020
- Veröffentlichung
- 29. März 2023
- Erteilung
- 29. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/419G06F11/10G11C7/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics (Rousset) SAS
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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