Verfahren zur Selektiven Silizium-Germanium-Epitaxie bei Niedrigen Temperaturen

EP3830860 Art A1 9. Juni 2021

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3830860
Aktenzeichen: EP19843773
Anmeldetag: 15. Juli 2019
Veröffentlichung: 9. Juni 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/3065H01L21/311H01L21/324H01L21/67H01L29/66C23C16/24C23C16/455C23C16/56C30B25/02C30B29/06C30B29/08C30B29/52H01L21/687

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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