Ic mit Dünnschichtwiderstand mit Metallwänden
EP3830865
Art A1
9. Juni 2021
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3830865
- Aktenzeichen
- EP19841050
- Anmeldetag
- 25. Juli 2019
- Veröffentlichung
- 9. Juni 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L49/02H01L23/522H01L23/00H01L23/58H01L25/04H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
3.600 Patente in unserer Datenbank