Siliciumnitridsinterkörper, Siliziumnitridsubstrat und Siliciumnitridschaltungssubstrat

EP3831799 Art A1 9. Juni 2021

Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3831799
Aktenzeichen
EP19844227
Anmeldetag
30. Juli 2019
Veröffentlichung
9. Juni 2021
Rechtsraum
EP
IPC
C04B35/587H01L23/15H01L23/36H01L23/373H05K1/03
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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