Hybrid Gebondete Substrate mit Rückgeätzten Verdrahtungen und Herstellungsverfahren davon

EP3832712 Art B1 27. August 2025

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3832712
Aktenzeichen: EP20197571
Anmeldetag: 22. September 2020
Veröffentlichung: 27. August 2025
Erteilung: 27. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/66H01L23/485H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von