Gan-Kristall vom N-Typ, Gan-Wafer, Gan-Kristall, Gan-Wafer und Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleiterbauelements
EP3839108
Art A1
23. Juni 2021
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3839108
- Aktenzeichen
- EP19849371
- Anmeldetag
- 24. Juli 2019
- Veröffentlichung
- 23. Juni 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C23C16/34C30B25/20H01L21/205C30B29/40C23C16/30H01L33/32H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München