Verfahren zur Musterbildung auf der Oberfläche eines Kristallinen Siliziumsubstrats
EP3840060
Art B1
12. Juni 2024
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3840060
- Aktenzeichen
- EP20215120
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2024
- Erteilung
- 12. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0236H01L31/068H01L31/18H01L31/0725H01L31/0747// H01L31/20H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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