Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren

EP3843132 Art B1 27. November 2024

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3843132
Aktenzeichen
EP20790892
Anmeldetag
20. Februar 2020
Veröffentlichung
27. November 2024
Erteilung
27. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739H01L29/417H01L29/10H01L29/36H01L29/861H01L21/8234H01L27/06H01L29/78H01L21/336H01L27/07// H01L29/40H01L29/06H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Fuji Electric Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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