Halbleiterbauelement mit einem Basisverbindungsbereich und Verfahren dafür

EP3843159 Art A1 30. Juni 2021

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3843159
Aktenzeichen
EP20212683
Anmeldetag
9. Dezember 2020
Veröffentlichung
30. Juni 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/737H01L21/331H01L29/165H01L29/10H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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