Halbleiter auf Diamantsubstrat, Vorläufer zur Verwendung bei der Herstellung eines Halbleiters auf einem Diamantsubstrat und Verfahren zur Herstellung Desselben

EP3844798 Art A1 7. Juli 2021

Anmelder: The University of Bristol 🇬🇧

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3844798
Aktenzeichen: EP19759707
Anmeldetag: 23. August 2019
Veröffentlichung: 7. Juli 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The University of Bristol
Land: 🇬🇧 Großbritannien

🇬🇧 The University of Bristol

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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