Gebondete Speichervorrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP3844810
Art A1
7. Juli 2021
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3844810
- Aktenzeichen
- EP18941819
- Anmeldetag
- 30. November 2018
- Veröffentlichung
- 7. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11575H01L23/52H01L25/18H01L27/11582H01L25/00// H01L25/065H01L23/00H01L21/84H01L27/105H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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