Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Verfahren zu Seiner Herstellung und Seine Verwendung

EP3846222 Art A1 7. Juli 2021

Anmelder: Consejo Superior De Investigaciones Científicas 🇪🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3846222
Aktenzeichen: EP19854146
Anmeldetag: 29. August 2019
Veröffentlichung: 7. Juli 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/808H01L21/337H01L29/06H01L29/10H01L21/02H01L21/70H01L23/552H01L29/772

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Consejo Superior De Investigaciones Científicas
Land: 🇪🇸 Spanien

🇪🇸 Consejo Superior de Investigaciones Científicas

Größte staatliche Forschungseinrichtung Spaniens mit Sitz in Madrid, tätig in nahezu allen Wissenschaftsbereichen von Naturwissenschaften bis Geisteswissenschaften. Die Institution (CSIC) betreibt zahlreiche Forschungszentren im ganzen Land.

1.355 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von