Siliciumnitridsubstrat und Siliciumnitridleiterplatte

EP3846596 Art B1 30. Juli 2025

Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3846596
Aktenzeichen
EP19854614
Anmeldetag
5. August 2019
Veröffentlichung
30. Juli 2025
Erteilung
30. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H05K1/03C04B35/584H01L23/13C04B37/02C04B35/638C04B35/587C04B35/645
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

3.468 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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