Siliciumnitridsubstrat und Siliciumnitridleiterplatte

EP3846596 Art B1 30. Juli 2025

Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3846596
Aktenzeichen: EP19854614
Anmeldetag: 5. August 2019
Veröffentlichung: 30. Juli 2025
Erteilung: 30. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H05K1/03C04B35/584H01L23/13C04B37/02C04B35/638C04B35/587C04B35/645

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

411 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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