Mit Kupfer-Damaszener-Strukturen Integrierte Nitridstrukturen mit Gate-Kontakten mit Niedriger Kapazität
EP3847684
Art A1
14. Juli 2021
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3847684
- Aktenzeichen
- EP19755739
- Anmeldetag
- 1. August 2019
- Veröffentlichung
- 14. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285H01L29/20H01L29/423H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
3.397 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
27.461
Patente gesamt
3
Patentanwälte
2
Standorte
Weitere Vertreter
-
Crowell & Moring U.K. LLP
Crowell & Moring U.K. LLP · London