Verfahren zur Herstellung einer Cfet-Vorrichtung

EP3847693 Art B1 24. April 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3847693
Aktenzeichen: EP19774171
Anmeldetag: 3. September 2019
Veröffentlichung: 24. April 2024
Erteilung: 24. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/762H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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