Nitrid-Halbleiterbauelement und Substrat Dafür, Verfahren zur Herstellung einer Nitridschicht mit einem Seltenerdelement und Rotlichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

EP3848975 Art A1 14. Juli 2021

Anmelder: The Ritsumeikan Trust, Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3848975
Aktenzeichen: EP19858257
Anmeldetag: 30. August 2019
Veröffentlichung: 14. Juli 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/207C30B25/16C30B29/38H01L21/20H01L21/205H01L21/338H01L29/20H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The Ritsumeikan Trust
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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