Verfahren zur Herstellung eines Fortschrittlichen Substrats zur Hybridintegration

EP3850659 Art A1 21. Juli 2021

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3850659
Aktenzeichen: EP19779352
Anmeldetag: 11. September 2019
Veröffentlichung: 21. Juli 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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