Hf-Verstärker mit in Serie Geschalteten Ausgangsbonddrahtanordnungen und Parallelkondensator-Bonddrahtanordnungen
EP3852270
Art B1
26. Juli 2023
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3852270
- Aktenzeichen
- EP21150340
- Anmeldetag
- 5. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 26. Juli 2023
- Erteilung
- 26. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/00H03F1/56H03F3/21H03F3/193H03F1/02H01L23/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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