Verfahren zur Programmierung eines Speichersystems
EP3853854
Art A1
28. Juli 2021
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3853854
- Aktenzeichen
- EP19911685
- Anmeldetag
- 23. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/10G11C16/34G11C11/56G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank