Herstellungsverfahren für eine Neuartige Kondensatorstruktur

EP3853896 Art B1 2. Oktober 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3853896
Aktenzeichen
EP19915921
Anmeldetag
18. Februar 2019
Veröffentlichung
2. Oktober 2024
Erteilung
2. Oktober 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10N97/00H01L23/64// G11C5/14
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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