Treppenbildung in einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung
EP3853899
Art B1
29. Januar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3853899
- Aktenzeichen
- EP19913904
- Anmeldetag
- 31. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2025
- Erteilung
- 29. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B41/27H10B43/27H10B41/50H10B43/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank