Feldeffekttransistor mit Gate-Isolierschicht aus einem Zweidimensionalen Material

EP3855507 Art B1 13. September 2023

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., Seoul National University R & DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3855507
Aktenzeichen: EP21152508
Anmeldetag: 20. Januar 2021
Veröffentlichung: 13. September 2023
Erteilung: 13. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/51H01L29/10H01L29/24H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Samsung Electronics Co., Ltd.
Seoul National University R & DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

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🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von