Integrierte Schaltungen mit Vertikal Integrierten Kondensator-Lawinendiodenstrukturen
EP3859779
Art B1
2. Oktober 2024
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3859779
- Aktenzeichen
- EP21152192
- Anmeldetag
- 18. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2024
- Erteilung
- 2. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L27/06H01L23/64
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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