Transistoranordnung und Verfahren zu Herstellung einer Feldplatte in einem Länglichen Aktiven Graben einer Transistorvorrichtung

EP3859788 Art A1 4. August 2021

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3859788
Aktenzeichen: EP20154375
Anmeldetag: 29. Januar 2020
Veröffentlichung: 4. August 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/40H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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