Hybridstruktur für Vorrichtung mit Oberflächenschallwellen

EP3859800 Art B1 15. Februar 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3859800
Aktenzeichen: EP21161536
Anmeldetag: 26. Juni 2017
Veröffentlichung: 15. Februar 2023
Erteilung: 15. Februar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/08H03H9/02H03H9/25H01L41/312H01L41/313

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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