Verfahren zur Programmierung eines Speichersystems

EP3864655 Art B1 27. März 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3864655
Aktenzeichen
EP18942324
Anmeldetag
7. Dezember 2018
Veröffentlichung
27. März 2024
Erteilung
27. März 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/56G11C16/10G11C16/04G11C16/14G11C16/32G11C16/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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