Vorausleseverfahren zur Multi-Pass-Programmierung eines Flash-Speichers
EP3867905
Art A1
25. August 2021
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3867905
- Aktenzeichen
- EP18942886
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 25. August 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/56// G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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