Halbleiterbauelement mit Isolierter Gate-Transistor-Zelle und Gleichrichtendem Übergang

EP3872847 Art A1 1. September 2021

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3872847
Aktenzeichen: EP20160168
Anmeldetag: 28. Februar 2020
Veröffentlichung: 1. September 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/82H01L27/06H01L27/02// H01L29/78H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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