Iii-V-Halbleiterpixel-Röntgendetektor

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3882671

Aktenzeichen

EP21000068

Anmeldetag

12. März 2021

Veröffentlichung

24. September 2025

Erteilung

24. September 2025

Rechtsraum

EP

IPC

G01T1/24

Abstract

III-V-Halbleiterpixel-Röntgendetektor, aufweisend ein Absorptionsgebiet eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, mindestens neun in einer Matrix entlang der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnete Halbleiterkontaktgebiete des zweiten Leitfähigkeitstyps und optional eine Halbleiterkontaktschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, wobei ein metallischer Vorderseitenanschlusskontakt unterhalb des Absorptionsgebiets angeordnet ist und oberhalb jedes Halbleiterkontaktgebiets jeweils ein metallischer Rückseitenanschlusskontakt angeordnet ist und der Röntgendetektor eine Halbleiterpassivierungsschicht des ersten oder des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei die Halbleiterpassivierungsschicht und das Absorptionsgebiet zueinander gitterangepasst sind, die Halbleiterpassivierungsschicht gebietsweise auf der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnet ist und die Halblelterpassivierungsschicht zu jedem hochdotierten Halbeiterkontaktgebiet entlang der Oberseite des Absorptionsgebiets einen Mindestabstand von mindestens 2 pm oder mindestens 20 µm aufweist.

Anmelder

Firma

AZUR SPACE Solar Power GmbH

Land

🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete