Leseoperationsschaltung, Halbleiterspeicher und Leseoperationsverfahren
EP3886101
Art A1
29. September 2021
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3886101
- Aktenzeichen
- EP20879148
- Anmeldetag
- 22. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 29. September 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/409G11C13/00G11C7/10G11C11/4093G11C11/4096
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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