Resistive Direktspeicherarchitektur mit Hoher Integrationsdichte und Steuerungsverfahren dafür
Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique, Université d'Aix-Marseille, American University Of Beirut 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3886104
- Aktenzeichen
- EP20166074
- Anmeldetag
- 26. März 2020
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2024
- Erteilung
- 24. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C13/00
Abstract
The invention relates to a method for controlling a memory cell (VR), the method comprising: during set and reset phases, selecting the memory cell by setting a selection transistor (ST) in a conducting state, linking a first electrode (BE) of a variable resistor (VR) of the memory cell to a ground voltage; during the set phase, setting a second electrode (TE) of the variable resistor to a high positive voltage (STV); and during the reset phase, setting the second electrode of the variable resistor to a high negative voltage (RSV).
Anmelder
- Firmen
- Centre National de la Recherche Scientifique
Université d'Aix-Marseille
American University Of Beirut - Land
- 🇫🇷 Frankreich
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Fachgebiete
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de Roquemaurel, Bruno
Omnipat · Aix-en-Provence