Leistungshalbleitermodulanordnung
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3886156
- Aktenzeichen
- EP20165951
- Anmeldetag
- 26. März 2020
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2022
- Erteilung
- 8. Juni 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/34H01L23/24H01L23/053H01L25/07G01K1/14G01K11/32H01L23/498H01L23/00H01L23/373
Abstract
A power semiconductor module arrangement (100) comprises a substrate (10) comprising a dielectric insulation layer (11), and a first metallization layer (111) arranged on a first side of the dielectric insulation layer (11), at least one controllable semiconductor element (20) mounted on the first metallization layer (111) of the substrate (10), and at least one temperature sensor arrangement (80), each of the at least one temperature sensor arrangement (80) comprising an optically sensitive element (802) and an optical cable (806) coupled to the optically sensitive element (802) with a first end.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
-
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen