Leistungshalbleitermodulanordnung

EP3886156 Art B1 8. Juni 2022

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3886156
Aktenzeichen
EP20165951
Anmeldetag
26. März 2020
Veröffentlichung
8. Juni 2022
Erteilung
8. Juni 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/34H01L23/24H01L23/053H01L25/07G01K1/14G01K11/32H01L23/498H01L23/00H01L23/373
Offizieller Volltext

Abstract

A power semiconductor module arrangement (100) comprises a substrate (10) comprising a dielectric insulation layer (11), and a first metallization layer (111) arranged on a first side of the dielectric insulation layer (11), at least one controllable semiconductor element (20) mounted on the first metallization layer (111) of the substrate (10), and at least one temperature sensor arrangement (80), each of the at least one temperature sensor arrangement (80) comprising an optically sensitive element (802) and an optical cable (806) coupled to the optically sensitive element (802) with a first end.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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