Verfahren zur Bestimmung eines Schichtwiderstandes eines Halbleitersubstrats nach Plasmaimmersionionenimplantation und Thermischem Glühen

EP3888117 Art A1 6. Oktober 2021

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3888117
Aktenzeichen: EP19806279
Anmeldetag: 26. November 2019
Veröffentlichung: 6. Oktober 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/66H01L31/00H01J37/32C23C14/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von