Chipverkapselungstruktur, Chip-Scale-Gehäusestruktur auf Waferebene und Herstellungsverfahren dafür
EP3888122
Art B1
7. Juni 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3888122
- Aktenzeichen
- EP19888608
- Anmeldetag
- 29. November 2019
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2023
- Erteilung
- 7. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L21/98H01L21/683H01L25/065H01L21/78H01L23/00H01L25/18// H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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