Integration von Dreidimensionalen Nand-Speichervorrichtungen mit mehreren Funktionalen Chips
EP3891784
Art B1
4. Dezember 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3891784
- Aktenzeichen
- EP19924697
- Anmeldetag
- 15. April 2019
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2024
- Erteilung
- 4. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/18H01L21/60H01L23/00G11C11/00H01L25/00G11C5/02H01L25/065H01L21/98// H10B10/00H10B12/00H10B69/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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